ON Semiconductor BC846ALT3G Транзистор

Код товара RS: 178-4691Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BC846ALT3G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

110

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.04 x 2.64 x 1.11мм

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor BC846ALT3G Транзистор

10000

Доступно в кратности 10000
10000P.O.A.
20000P.O.A.
30000P.O.A.
40000P.O.A.
50000P.O.A.
60000P.O.A.
70000P.O.A.
80000P.O.A.
90000P.O.A.
100000P.O.A.
110000P.O.A.
120000P.O.A.
130000P.O.A.
140000P.O.A.
150000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor BC846ALT3G Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

10000

Доступно в кратности 10000
10000P.O.A.
20000P.O.A.
30000P.O.A.
40000P.O.A.
50000P.O.A.
60000P.O.A.
70000P.O.A.
80000P.O.A.
90000P.O.A.
100000P.O.A.
110000P.O.A.
120000P.O.A.
130000P.O.A.
140000P.O.A.
150000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

110

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

3.04 x 2.64 x 1.11мм

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.