onsemi AFGY100T65SPD IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247

Код товара RS: 214-8786Бренд: onsemiПарт-номер производителя: AFGY100T65SPD
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

660 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi AFGY100T65SPD IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

onsemi AFGY100T65SPD IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

660 Вт

Тип корпуса

TO-247

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный