onsemi AFGY100T65SPD IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247

Код товара RS: 214-8785Бренд: onsemiПарт-номер производителя: AFGY100T65SPD
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

660 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi AFGY100T65SPD IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

onsemi AFGY100T65SPD IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

660 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-247

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный