onsemi AFGHL50T65SQD IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247

Код товара RS: 202-5674Бренд: onsemiПарт-номер производителя: AFGHL50T65SQD
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30.0V

Максимальное рассеяние мощности

268 Вт

Количество транзисторов

30

Тип корпуса

TO-247

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi AFGHL50T65SQD IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247

450

Доступно в кратности 450
450P.O.A.
900P.O.A.
1350P.O.A.
1800P.O.A.
2250P.O.A.
2700P.O.A.
3150P.O.A.
3600P.O.A.
4050P.O.A.
4500P.O.A.
4950P.O.A.
5400P.O.A.
5850P.O.A.
6300P.O.A.
6750P.O.A.

P.O.A.

onsemi AFGHL50T65SQD IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247
Информация о наличии не успела загрузиться

450

Доступно в кратности 450
450P.O.A.
900P.O.A.
1350P.O.A.
1800P.O.A.
2250P.O.A.
2700P.O.A.
3150P.O.A.
3600P.O.A.
4050P.O.A.
4500P.O.A.
4950P.O.A.
5400P.O.A.
5850P.O.A.
6300P.O.A.
6750P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30.0V

Максимальное рассеяние мощности

268 Вт

Количество транзисторов

30

Тип корпуса

TO-247

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный