onsemi AFGB40T65SQDN IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin D2PAK, Surface Mount

Код товара RS: 185-7972Бренд: onsemiПарт-номер производителя: AFGB40T65SQDN
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

238 ВТ

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.58мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

2495пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

22.3µJ

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi AFGB40T65SQDN IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin D2PAK, Surface Mount

P.O.A.

onsemi AFGB40T65SQDN IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin D2PAK, Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

238 ВТ

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

D2PAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.58мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

2495пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

22.3µJ

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Страна происхождения

China