ON Semiconductor 50A02CH-TL-E Транзистор

Код товара RS: 145-4777Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 50A02CH-TL-E
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

CPH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Максимальная рабочая частота

690 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.6 x 0.9мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor 50A02CH-TL-E Транзистор

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor 50A02CH-TL-E Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

CPH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Максимальная рабочая частота

690 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.6 x 0.9мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.