ON Semiconductor 30A02CH-TL-E Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
-700mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-30V
Корпус
CPH
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
-30V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
700mW
Полярность транзистора
PnP
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
200
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
Максимальная частота перехода (ft)
520MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.9мм
Материал каски/сварочной маски
0.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
30A02CH
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
-700mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-30V
Корпус
CPH
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
-30V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
700mW
Полярность транзистора
PnP
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
200
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
Максимальная частота перехода (ft)
520MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
2.9мм
Материал каски/сварочной маски
0.9мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
30A02CH
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.