JFET N-Ch 15V 5 to 24mA 50mS CP3

Код товара RS: 792-5177Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2SK932-24-TB-E
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

14.5 to 24mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-15V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

CP

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

10пФ

Емкость исток-затвор

3пФ

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Длина

2.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.5мм

Высота

1.1мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

тг 3 464,25

тг 138,57 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

JFET N-Ch 15V 5 to 24mA 50mS CP3
Select packaging type

тг 3 464,25

тг 138,57 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

JFET N-Ch 15V 5 to 24mA 50mS CP3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 138,57тг 3 464,25
50 - 100тг 116,22тг 2 905,50
125 - 225тг 89,40тг 2 235,00
250 - 475тг 84,93тг 2 123,25
500+тг 75,99тг 1 899,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

14.5 to 24mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-15V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

CP

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

10пФ

Емкость исток-затвор

3пФ

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Длина

2.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.5мм

Высота

1.1мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.