Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
14.5 to 24mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-15V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
10пФ
Емкость исток-затвор
3пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.5мм
Высота
1.1мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
тг 3 464,25
тг 138,57 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 464,25
тг 138,57 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 25 | тг 138,57 | тг 3 464,25 |
| 50 - 100 | тг 116,22 | тг 2 905,50 |
| 125 - 225 | тг 89,40 | тг 2 235,00 |
| 250 - 475 | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
| 500+ | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
14.5 to 24mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-15V
Конфигурация
Одиночный
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
10пФ
Емкость исток-затвор
3пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.5мм
Высота
1.1мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
