2SK3666-2-TB-E, NCH J-FET

Код товара RS: 800-9364PБренд: onsemiПарт-номер производителя: 2SK3666-2-TB-E
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.6 to 1.5mA

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-30V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

200 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

1.1мм

Ширина

1.5мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

2SK3666-2-TB-E, NCH J-FET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

2SK3666-2-TB-E, NCH J-FET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

0.6 to 1.5mA

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-30V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

200 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

1.1мм

Ширина

1.5мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.