Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
10 to 20mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-15V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
10пФ
Емкость исток-затвор
2.9пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Длина
2.9мм
Высота
1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.5мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 102,81
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 102,81
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 25 | тг 102,81 | тг 2 570,25 |
50 - 100 | тг 80,46 | тг 2 011,50 |
125 - 225 | тг 67,05 | тг 1 676,25 |
250 - 475 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
500+ | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
10 to 20mA
Максимальное напряжение сток-исток
15 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-15V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CP
Число контактов
3
Емкость сток-затвор
10пФ
Емкость исток-затвор
2.9пФ
Размеры
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Длина
2.9мм
Высота
1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.5мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.