JFET N-Ch 15V 10 to 32mA 35mS CP3

Код товара RS: 792-5164Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2SK3557-6-TB-E
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

10 to 20mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-15V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

CP

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

10пФ

Емкость исток-затвор

2.9пФ

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Длина

2.9мм

Высота

1.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.5мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 102,81

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

JFET N-Ch 15V 10 to 32mA 35mS CP3
Select packaging type

тг 102,81

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

JFET N-Ch 15V 10 to 32mA 35mS CP3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 102,81тг 2 570,25
50 - 100тг 80,46тг 2 011,50
125 - 225тг 67,05тг 1 676,25
250 - 475тг 62,58тг 1 564,50
500+тг 53,64тг 1 341,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

10 to 20mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-15V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

CP

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

10пФ

Емкость исток-затвор

2.9пФ

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.1мм

Длина

2.9мм

Высота

1.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.5мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.