ON Semiconductor 2SC5658M3T5G Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
260 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Максимальная рабочая частота
30 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.25 x 0.85 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
260 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
120
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Максимальная рабочая частота
30 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.25 x 0.85 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.