ON Semiconductor 2SC5200OTU Транзистор

Код товара RS: 124-1460Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2SC5200OTU
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

17 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

250 В

Тип корпуса

TO-264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

80

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

250 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

30 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

20 x 5 x 26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor 2SC5200OTU Транзистор

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor 2SC5200OTU Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

17 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

250 В

Тип корпуса

TO-264

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

80

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

250 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

30 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

20 x 5 x 26мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.