Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
17 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
250 В
Тип корпуса
TO-264
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
250 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
30 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
20 x 5 x 26мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
17 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
250 В
Тип корпуса
TO-264
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
250 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
30 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
20 x 5 x 26мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.