ON Semiconductor 2SC4135S-TL-E Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TP-FA
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
15 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
140, 200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
390 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.5 x 2.3 x 5.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
700
P.O.A.
700
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TP-FA
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
15 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
140, 200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
390 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.5 x 2.3 x 5.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.