ON Semiconductor 2SB1216S-TL-E Транзистор

Код товара RS: 145-4717Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2SB1216S-TL-E
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

TP-FA

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-120 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-6 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.5 x 5.5 x 2.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor 2SB1216S-TL-E Транзистор

700

Доступно в кратности 700
700P.O.A.
1400P.O.A.
2100P.O.A.
2800P.O.A.
3500P.O.A.
4200P.O.A.
4900P.O.A.
5600P.O.A.
6300P.O.A.
7000P.O.A.
7700P.O.A.
8400P.O.A.
9100P.O.A.
9800P.O.A.
10500P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor 2SB1216S-TL-E Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

700

Доступно в кратности 700
700P.O.A.
1400P.O.A.
2100P.O.A.
2800P.O.A.
3500P.O.A.
4200P.O.A.
4900P.O.A.
5600P.O.A.
6300P.O.A.
7000P.O.A.
7700P.O.A.
8400P.O.A.
9100P.O.A.
9800P.O.A.
10500P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Тип корпуса

TP-FA

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-120 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-6 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.5 x 5.5 x 2.3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.