ON Semiconductor 2SB1123T-TD-E Транзистор

Код товара RS: 163-1995Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2SB1123T-TD-E
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

PCP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

140, 200

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-6 В

Максимальная рабочая частота

150 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

4.5 x 2.5 x 1.5мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor 2SB1123T-TD-E Транзистор

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor 2SB1123T-TD-E Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

1000

Доступно в кратности 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

PCP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

140, 200

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-6 В

Максимальная рабочая частота

150 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

4.5 x 2.5 x 1.5мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.