ON Semiconductor 2SA1419S-TD-E Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
160 В
Тип корпуса
PCP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-180 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
120 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
160 В
Тип корпуса
PCP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-180 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
120 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.