Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-204
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
2
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
4 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Высота
8.51мм
Ширина
26.67мм
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
39.37 x 26.67 x 8.51мм
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Длина
39.37мм
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-204
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
2
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
4 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Высота
8.51мм
Ширина
26.67мм
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
39.37 x 26.67 x 8.51мм
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Длина
39.37мм
Информация о товаре
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.