ON Semiconductor 2N5551BU Транзистор

Код товара RS: 166-2959Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2N5551BU
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

160 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

180 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor 2N5551BU Транзистор

10000

Доступно в кратности 1
10000P.O.A.
20000P.O.A.
30000P.O.A.
40000P.O.A.
50000P.O.A.
60000P.O.A.
70000P.O.A.
80000P.O.A.
90000P.O.A.
100000P.O.A.
110000P.O.A.
120000P.O.A.
130000P.O.A.
140000P.O.A.
150000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor 2N5551BU Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

10000

Доступно в кратности 1
10000P.O.A.
20000P.O.A.
30000P.O.A.
40000P.O.A.
50000P.O.A.
60000P.O.A.
70000P.O.A.
80000P.O.A.
90000P.O.A.
100000P.O.A.
110000P.O.A.
120000P.O.A.
130000P.O.A.
140000P.O.A.
150000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

600 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

160 В

Тип корпуса

TO-92

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

180 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.