Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
600 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
140 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
160 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
5.33 x 5.2 x 4.19мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,25 В
тг 728,61
тг 728,61 Each (ex VAT)
1
тг 728,61
тг 728,61 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 4 | тг 728,61 |
5 - 19 | тг 259,26 |
20 - 49 | тг 120,69 |
50 - 99 | тг 98,34 |
100+ | тг 49,17 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
600 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
140 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
160 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
5.33 x 5.2 x 4.19мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,25 В