Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
700 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
MCP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
330 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
700 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
MCP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
330 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2 x 1.25 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.