ON Semiconductor ULN2003ADR2G Матрица транзисторов Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Размеры
10 x 4 x 1.5мм