Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
250 кГц
Выходное напряжение
5,1 В
Выходной ток
1 A
Метод управления
Ток
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Время спада
150нс
Тип корпуса
SOIC
Время нарастания
150нс
Число контактов
14
Топология
Наддув, компенсатор
Коэффициент заполнения
96%
Размеры
8.75 x 4 x 1.5мм
Длина
8.75мм
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
0 °C
Максимальная рабочая температура
+70 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 5 | P.O.A. |
10 - 20 | P.O.A. |
25 - 45 | P.O.A. |
50 - 95 | P.O.A. |
100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
250 кГц
Выходное напряжение
5,1 В
Выходной ток
1 A
Метод управления
Ток
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Время спада
150нс
Тип корпуса
SOIC
Время нарастания
150нс
Число контактов
14
Топология
Наддув, компенсатор
Коэффициент заполнения
96%
Размеры
8.75 x 4 x 1.5мм
Длина
8.75мм
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
0 °C
Максимальная рабочая температура
+70 °C