ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона

Код товара RS: 808-0502PБренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: TIP120TU
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.5mA

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Ширина

4.83мм

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона
Select packaging type

P.O.A.

ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

4 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.5mA

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Ширина

4.83мм

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Информация о товаре

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor TIP120TU Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (In a Tube of 50) (ex VAT)