Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Максимальное напряжение фиксации
12.5V
Минимальное пробивное напряжение
5.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-723
Число контактов
3
Максимальный пиковый импульсный ток
16A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
1.25 x 0.85 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
0.55мм
Ширина
0.85мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Рабочее напряжение
5V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Емкость
0.55пФ
Длина
1.25мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Матрица
Максимальное напряжение фиксации
12.5V
Минимальное пробивное напряжение
5.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-723
Число контактов
3
Максимальный пиковый импульсный ток
16A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
1.25 x 0.85 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
0.55мм
Ширина
0.85мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Рабочее напряжение
5V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Емкость
0.55пФ
Длина
1.25мм