P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02LT3G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
350 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.25V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,1 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
200
P.O.A.
200
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 200 - 200 | P.O.A. |
| 400 - 800 | P.O.A. |
| 1000 - 1800 | P.O.A. |
| 2000 - 3800 | P.O.A. |
| 4000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
350 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.25V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
3,1 нКл при 4,5 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре