Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.6 A, 20 V, 6-Pin WDFN onsemi NTLJD3119CTBG

Код товара RS: 780-0655Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTLJD3119CTBG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 А, 4,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мОм, 200 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,3 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,7 нКл при 4,5 В, 5,5 нКл при 4,5 В

Ширина

2мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.75мм

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.6 A, 20 V, 6-Pin WDFN onsemi NTLJD3119CTBG
Select packaging type

P.O.A.

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.1 A, 4.6 A, 20 V, 6-Pin WDFN onsemi NTLJD3119CTBG
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
10 - 10P.O.A.
20 - 40P.O.A.
50 - 90P.O.A.
100 - 190P.O.A.
200+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 А, 4,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мОм, 200 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,3 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,7 нКл при 4,5 В, 5,5 нКл при 4,5 В

Ширина

2мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.75мм

Информация о товаре

Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.

MOSFET Transistors, ON Semiconductor