Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 ON Semiconductor NTJD5121NT1G

Код товара RS: 780-0627Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTJD5121NT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

266 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,9 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 ON Semiconductor NTJD5121NT1G
Select packaging type

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 ON Semiconductor NTJD5121NT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
50 - 50P.O.A.
100 - 200P.O.A.
250 - 450P.O.A.
500 - 950P.O.A.
1000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

266 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,9 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor