P-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 onsemi NTF5P03G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
3,13 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.65мм
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 25 | P.O.A. |
| 50 - 75 | P.O.A. |
| 100 - 225 | P.O.A. |
| 250 - 475 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
3,13 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.65мм
Информация о товаре