N-Channel MOSFET, 150 mA, 30 V, 3-Pin SC-75 ON Semiconductor NTA7002NT1G

Код товара RS: 780-0501Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTA7002NT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

150 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SC-75

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Ширина

0.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.65мм

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 150 mA, 30 V, 3-Pin SC-75 ON Semiconductor NTA7002NT1G
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 150 mA, 30 V, 3-Pin SC-75 ON Semiconductor NTA7002NT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
50 - 50P.O.A.
100 - 200P.O.A.
250 - 450P.O.A.
500 - 950P.O.A.
1000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

150 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SC-75

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Ширина

0.9мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

1.65мм

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor