onsemi NSVT65011MW6T1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 65 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм