ON Semiconductor NSVF6003SB6T1G Транзистор

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

150 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

CPH

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

800 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

7 ГГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.6 x 0.9мм

Страна происхождения

China