ON Semiconductor NSPM5131MUTBG Антистатический защитный диод

Brand

Тип направления

Однонаправленный

Конфигурация диода

Одинарный

Максимальное напряжение фиксации

21.5V

Минимальное пробивное напряжение

13.6V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

UDFN

Число контактов

6

Максимальный пиковый импульсный ток

100A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

1.8 x 2 x 0.5мм

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

1мкА

Высота

0.5мм

Ширина

2мм

Длина

1.8мм

Рабочее напряжение

13.5V