onsemi NGTG15N60S1EG IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
117 Вт
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 8 | P.O.A. |
| 10 - 48 | P.O.A. |
| 50 - 98 | P.O.A. |
| 100 - 248 | P.O.A. |
| 250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
117 Вт
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C