Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
1,2 МГц
Пусковой ток питания
17.4mA
Максимальный ток источника
100мкА
Максимальный втекающий ток
100мкА
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,7 В
Максимальная рабочая температура
+140 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
28 В
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
10 - 10 | P.O.A. |
20 - 40 | P.O.A. |
50 - 90 | P.O.A. |
100 - 190 | P.O.A. |
200+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
1,2 МГц
Пусковой ток питания
17.4mA
Максимальный ток источника
100мкА
Максимальный втекающий ток
100мкА
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Длина
5мм
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,7 В
Максимальная рабочая температура
+140 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
28 В