ON Semiconductor NCV1413BDR2G Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Длина
10мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Длина
10мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.