Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
50 кГц
Пусковой ток питания
50мкА
Максимальный ток источника
500mA
Максимальный втекающий ток
800mA
Максимальный ток питания
3 мА
Обнаружение нулевой мощности
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
10
Размеры
5 x 4 x 1.75мм
Высота
1.75мм
Длина
5мм
Максимальное рабочее напряжение питания
35 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
9,5 В
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
50 кГц
Пусковой ток питания
50мкА
Максимальный ток источника
500mA
Максимальный втекающий ток
800mA
Максимальный ток питания
3 мА
Обнаружение нулевой мощности
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
10
Размеры
5 x 4 x 1.75мм
Высота
1.75мм
Длина
5мм
Максимальное рабочее напряжение питания
35 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
9,5 В