Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
335 кГц
Пусковой ток питания
16mA
Максимальный ток источника
125мкА
Максимальный втекающий ток
900мкА
Максимальный ток питания
4 mA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
WDFN
Число контактов
8
Размеры
3 x 3 x 0.75мм
Длина
3мм
Ширина
3мм
Высота
0.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
10,5 В
Минимальное рабочее напряжение питания
9,9 В
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 5 | P.O.A. |
10 - 45 | P.O.A. |
50 - 95 | P.O.A. |
100 - 245 | P.O.A. |
250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
335 кГц
Пусковой ток питания
16mA
Максимальный ток источника
125мкА
Максимальный втекающий ток
900мкА
Максимальный ток питания
4 mA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
WDFN
Число контактов
8
Размеры
3 x 3 x 0.75мм
Длина
3мм
Ширина
3мм
Высота
0.75мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рабочее напряжение питания
10,5 В
Минимальное рабочее напряжение питания
9,9 В