Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
70 кГц
Пусковой ток питания
35мкА
Максимальный ток источника
500mA
Максимальный втекающий ток
800mA
Максимальный ток питания
+20 мА
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Высота
1.5мм
Длина
5мм
Максимальное рабочее напряжение питания
20 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
4мм
Минимальное рабочее напряжение питания
-0,3 В
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
2 - 18 | P.O.A. |
20 - 198 | P.O.A. |
200 - 498 | P.O.A. |
500 - 998 | P.O.A. |
1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
70 кГц
Пусковой ток питания
35мкА
Максимальный ток источника
500mA
Максимальный втекающий ток
800mA
Максимальный ток питания
+20 мА
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Высота
1.5мм
Длина
5мм
Максимальное рабочее напряжение питания
20 В
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
4мм
Минимальное рабочее напряжение питания
-0,3 В