Z diode,MMSZ5240BT1G 20mA Iz 10Vz 500mW
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorКонфигурация диода
Одинарный
Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)
10V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип корпуса
SOD-123
Тип диода Зенера
Регулятор напряжения
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
5%
Число контактов
2
Испытательный ток
20mA
Максимальный импеданс Зенера
17Ом
Максимальный обратный ток утечки
3мкА
Размеры
2.69 x 1.6 x 1.12мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorКонфигурация диода
Одинарный
Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)
10V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип корпуса
SOD-123
Тип диода Зенера
Регулятор напряжения
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
5%
Число контактов
2
Испытательный ток
20mA
Максимальный импеданс Зенера
17Ом
Максимальный обратный ток утечки
3мкА
Размеры
2.69 x 1.6 x 1.12мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C