ON Semiconductor MMBT2369A Транзистор

Код товара RS: 178-7607Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: MMBT2369A
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

15 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

4,5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

PRICED TO CLEAR

Yes

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.97мм

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Up to 30V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MMBT2369A Транзистор

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MMBT2369A Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

15 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

4,5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

PRICED TO CLEAR

Yes

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.97мм

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Up to 30V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.