Transistor, Fairchild, MMBFJ309

Код товара RS: 806-4320PБренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: MMBFJ309
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 → 30mA

Максимальное напряжение сток-исток

10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

2.5пФ

Емкость исток-затвор

5пФ

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor, Fairchild, MMBFJ309
Select packaging type

P.O.A.

Transistor, Fairchild, MMBFJ309
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

12 → 30mA

Максимальное напряжение сток-исток

10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

2.5пФ

Емкость исток-затвор

5пФ

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.