Transistor JFET P-Channel SOT23

Код товара RS: 671-1141Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: MMBFJ177
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Запирающий ток сток-исток Idss

1.5 → 20mA

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-30V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное сопротивление сток-исток

300 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Информация о товаре

P-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor JFET P-Channel SOT23
Select packaging type

P.O.A.

Transistor JFET P-Channel SOT23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 20P.O.A.
25 - 95P.O.A.
100 - 245P.O.A.
250 - 495P.O.A.
500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Запирающий ток сток-исток Idss

1.5 → 20mA

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-30V

Конфигурация

Одиночный

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное сопротивление сток-исток

300 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Информация о товаре

P-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.