Transistor, Fairchild, MMBFJ111

Код товара RS: 806-4311Бренд: onsemiПарт-номер производителя: MMBFJ111
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

20mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-35 В

Максимальное напряжение сток-затвор

35V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

30 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

28пФ

Емкость исток-затвор

28пФ

Размеры

2.9 x 1.3 x 1.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

1.04мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor, Fairchild, MMBFJ111
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Transistor, Fairchild, MMBFJ111
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
50 - 200P.O.A.
250 - 450P.O.A.
500 - 2450P.O.A.
2500 - 4950P.O.A.
5000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

20mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-35 В

Максимальное напряжение сток-затвор

35V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

30 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

28пФ

Емкость исток-затвор

28пФ

Размеры

2.9 x 1.3 x 1.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

1.04мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.