Transistor, Fairchild, MMBFJ110

Код товара RS: 806-4302PБренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: MMBFJ110
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

Min. 10mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

18 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

85пФ

Емкость исток-затвор

85пФ

Размеры

2.92 x 1.4 x 0.94мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.94мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor, Fairchild, MMBFJ110
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Transistor, Fairchild, MMBFJ110
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

Min. 10mA

Максимальное напряжение сток-исток

15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

18 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

85пФ

Емкость исток-затвор

85пФ

Размеры

2.92 x 1.4 x 0.94мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.94мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.