Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
4 → 10mA
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
100 - 400 | P.O.A. |
500 - 2400 | P.O.A. |
2500 - 5900 | P.O.A. |
6000 - 11900 | P.O.A. |
12000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
4 → 10mA
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Информация о товаре
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.