Transistor JFET N-Ch Amplifier SOT23

Код товара RS: 760-6034Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: MMBF5459
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

4 to 16mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

3пФ

Емкость исток-затвор

7пФ

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Transistor JFET N-Ch Amplifier SOT23
Select packaging type

P.O.A.

Transistor JFET N-Ch Amplifier SOT23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
50 - 450P.O.A.
500 - 1450P.O.A.
1500 - 2950P.O.A.
3000 - 5950P.O.A.
6000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

4 to 16mA

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

25V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Емкость сток-затвор

3пФ

Емкость исток-затвор

7пФ

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.