Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база
700 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Максимальная рабочая частота
4 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
12 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
100 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база
700 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Максимальная рабочая частота
4 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
