ON Semiconductor MJD47G Транзистор

Код товара RS: 178-4815Бренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: MJD47G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

250 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

15 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

350 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

2 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor MJD47G Транзистор

75

Доступно в кратности 75
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor MJD47G Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

75

Доступно в кратности 75
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

ON Semiconductor

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

250 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

15 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

350 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

2 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.38мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C