ON Semi MJD45H11-1G PNP Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin IPAK

Код товара RS: 790-5353PБренд: ON SemiconductorПарт-номер производителя: MJD45H11-1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

10 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

20 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.22мм

Информация о товаре

PNP Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJD45H11-1G Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 75) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

ON Semi MJD45H11-1G PNP Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin IPAK
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)

ON Semi MJD45H11-1G PNP Transistor, 8 A, 80 V, 3-Pin IPAK
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJD45H11-1G Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 75) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

60

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

10 В пост. тока

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

20 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.73 x 2.38 x 6.22мм

Информация о товаре

PNP Power Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor MJD45H11-1G Транзистор
P.O.A.Each (In a Tube of 75) (ex VAT)